盛夏已過，初秋開場

8月的溫度高如昔長期不散衣食住行也免不上被混亂的操作詛咒

髙壓大工作電壓(6500V/3000A)IGBT測試英文難？伴近年來項目流程需求量急、級任務重、的要求高項目師們壓強山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

仍然SiC與Si安全性能指標的有所不同，SiC MOSFET的域值法電流的工作電壓有著忽高忽低界定，在功率器件試驗檢測英文階段中域值法電流的工作電壓會現顯著的漂移，使得其電安全性能試驗檢測英文已經較高溫度柵偏試驗檢測后的電試驗檢測英文報告造成依賴關系于試驗檢測英文狀況。故此域值法電流的工作電壓的精確度試驗檢測英文，現行政策靠譜性試驗檢測英文策略有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通熱敏電阻 RDSon為損害元器件的工作時導通消耗的一為重要特征英文性能參數，其指數值會隨 VGS 還有T的變幻而修改。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保養也可以將電阻還是感應電流要求在SOA空間區域，減少電子元件故障或炸管。

測試方法先決條件：800V 恒壓 10μA 限流

各種測試要求：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）直流電查測用電線路將升高導通電流電壓校正誤差；? SOCKET與PIN碰觸功率內阻、檢測引線導通功率內阻。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，工作電流弧形振蕩器；? 線路圖等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 尋常同軸電纜線的等效電感與DUT并接，SMU測評時變高及其安穩時段長；? 三同軸數據線等效濾波電容可以說為0。

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